K6T4016V3B-TB70 - Samsung
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图片信息
K6T4016V3B-TB70
制造厂家:
三星半导体(Samsung Semiconductor)
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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K6T4016V3B-TB70 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6T4016V3B-TB70
存储器结构:
速度:70ns
电源电压:5V
包装:TSOP-II
环保标准:
快速提供
K6T4016V3B-TB70
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