K4B4G0846E-YCMA - Samsung
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图片信息
K4B4G0846E-YCMA
制造厂家:
三星半导体(Samsung Semiconductor)
类别封装:
双倍数据率同步动态随机存储器,78FBGA
技术参数:
SAMSUNG DRAM NAND
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K4B4G0846E-YCMA 技术参数详情:
三星芯片型号:K4B4G0846E-YCMA
制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
功能类别:双倍数据率同步动态随机存储器
容量:4Gb
架构:512M x 8
速率:1866 Mbps
工作电压:1.35 V
工作温度:0 ~ 85 °C
封装:78FBGA
产品状态:批量生产
快速提供
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