CL31B475KPHNNNF - Samsung
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图片信息
CL31B475KPHNNNF
制造厂家:
三星半导体(Samsung Semiconductor)
类别封装:
陶瓷电容器,1206
技术参数:
CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206
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CL31B475KPHNNNF 技术参数详情:
原厂标准完整型号: CL31B475KPHNNNF
制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
功能总体简述: CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206
系列: CL
电容: 4.7F
容差: ±10%
电压 - 额定: 10V
温度系数: X7R
安装类型: 表面贴装,MLCC
工作温度: -55°C ~ 125°C
应用: 通用
等级: -
封装/外壳: 1206(3216 公制)
大小/尺寸: 0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
高度 - 安装(最大值): -
厚度(最大值): 0.071"(1.80mm)
引线间距: -
特性: -
引线形式: -
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