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CL21P3R3CBAANND - Samsung
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图片信息
CL21P3R3CBAANND 图片
CL21P3R3CBAANND
  • 制造厂家：三星半导体（Samsung Semiconductor）
  • 类别封装：陶瓷电容器，出厂封装
  • 技术参数：0
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CL21P3R3CBAANND 技术参数详情：
  • 三星半导体完整型号：CL21P3R3CBAANND
  • 额定电压：VDC
  • 额定静电容量：3.3pF
  • 允许差：0.25pF
  • 尺寸：2 X 1.25 X 0.65mm
  • 温度特性：P2H
  • 环保标准：符合RoHS标准快速提供CL21P3R3CBAANND专业且全面的报价，Samsung代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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