CL03C4R3BA3GNND - Samsung
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图片信息
CL03C4R3BA3GNND
制造厂家:
三星半导体(Samsung Semiconductor)
类别封装:
陶瓷电容器,201
技术参数:
CAP CER 4.3PF 25V NP0 0201
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CL03C4R3BA3GNND 技术参数详情:
原厂标准完整型号: CL03C4R3BA3GNND
制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
功能总体简述: CAP CER 4.3PF 25V NP0 0201
系列: CL
电容: 4.3pF
容差: ±0.1pF
电压 - 额定: 25V
温度系数: C0G,NP0
安装类型: 表面贴装,MLCC
工作温度: -55°C ~ 125°C
应用: 通用
等级: -
封装/外壳: 0201(0603 公制)
大小/尺寸: 0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
高度 - 安装(最大值): -
厚度(最大值): 0.013"(0.33mm)
引线间距: -
特性: -
引线形式: -
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CL03C4R3BA3GNND
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