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TSB181IYDT - ST
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图片信息
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TSB181IYDT
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器，封装:8-SO
  • 技术参数：HE AMPLIFIERS
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TSB181IYDT 技术参数详情：
  • 型号:TSB181IYDT
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SO
  • 类目:集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
  • 描述:HE AMPLIFIERS
  • 系列:-
  • 包装:剪切带（CT）
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:断路器（零漂移）
  • 电路数:1
  • 输出类型:单端，轨至轨
  • 压摆率:1.7V/s
  • 增益带宽积:3 MHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:500 pA
  • 电压 - 输入补偿:25 V
  • 电流 - 供电:670A
  • 电流 - 输出/通道:27 mA
  • 电压 - 跨度（最小值）:4 V
  • 电压 - 跨度（最大值）:36 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SO
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