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图片信息
TS652IDT
制造厂家:
ST(STMicroelectronics,意法半导体)
类别封装:
集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器,封装:14-SO
技术参数:
IC VARIABLE GAIN 2 CIRCUIT 14SO
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TS652IDT 技术参数详情:
型号:TS652IDT
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:14-SO
类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
描述:IC VARIABLE GAIN 2 CIRCUIT 14SO
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
放大器类型:可变增益
电路数:2
输出类型:差分
压摆率:100V/s
增益带宽积:-
-3db 带宽:200 MHz
电流 - 输入偏置:-
电压 - 输入补偿:6 mV
电流 - 供电:28mA
电流 - 输出/通道:28 mA
电压 - 跨度(最小值):5 V
电压 - 跨度(最大值):12 V
工作温度:-40°C ~ 85°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:14-SO
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