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STGPL6NC60DI - ST
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图片信息
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STGPL6NC60DI
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3 整包
  • 技术参数：IGBT 600V 14A 56W TO-220
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STGPL6NC60DI 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：STGPL6NC60DI
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IGBT 600V 14A 56W TO-220
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：PowerMESH
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：14A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：18A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，3A
  • 功率-最大值：56W
  • 开关能量：32J（开），24J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：12nC
  • 25°C时Td（开/关）值：6.7ns/46ns
  • 测试条件：390V，3A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：23ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-220-3 整包
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