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STG3P2M10N60B - ST
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图片信息
STG3P2M10N60B 图片
STG3P2M10N60B
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块，封装:SEMITOP2
  • 技术参数：IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
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STG3P2M10N60B 技术参数详情：
  • 型号:STG3P2M10N60B
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SEMITOP2
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 描述:IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 配置:三相反相器
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:19 A
  • 功率 - 最大值:56 W
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:10 A
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):720 pF @ 25 V
  • 输入:单相桥式整流器
  • NTC 热敏电阻:无
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SEMITOP2
  • 供应商器件封装:SEMITOP2
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