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NAND01GW3B2AN6E - ST
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图片信息
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NAND01GW3B2AN6E
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：集成电路（IC） > 存储器 > 存储器，封装:48-TSOP
  • 技术参数：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
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NAND01GW3B2AN6E 技术参数详情：
  • 型号:NAND01GW3B2AN6E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:48-TSOP
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:128M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字，页:30ns
  • 访问时间:30 ns
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
  • 供应商器件封装:48-TSOP
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