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ESM2012DV - ST
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图片信息
ESM2012DV 图片
ESM2012DV
  • 制造厂家：ST（STMicroelectronics，意法半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管，封装:ISOTOP
  • 技术参数：TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
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ESM2012DV 技术参数详情：
  • 型号:ESM2012DV
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:ISOTOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:120 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 1A，100A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1200 @ 100A，5V
  • 功率 - 最大值:175 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:ISOTOP
  • 供应商器件封装:ISOTOP
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