RD4.7MW-T1B-A - Renesas
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图片信息
RD4.7MW-T1B-A
制造厂家:
Renesas(瑞萨电子)
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SC-59
技术参数:
RD4.7MW-T1B-A - ZENER DIODES 200
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RD4.7MW-T1B-A 技术参数详情:
型号:RD4.7MW-T1B-A
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:SC-59
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
描述:RD4.7MW-T1B-A - ZENER DIODES 200
系列:-
包装:散装
产品状态:停产
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):-
容差:-
功率 - 最大值:-
阻抗(最大值)(Zzt):-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SC-59
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