TFZGTR33B - ROHM
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图片信息
TFZGTR33B
制造厂家:
ROHM(罗姆)
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:TUMD2
技术参数:
DIODE ZENER 33V 500MW TUMD2
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TFZGTR33B 技术参数详情:
型号:TFZGTR33B
品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
封装:TUMD2
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
描述:DIODE ZENER 33V 500MW TUMD2
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:不适用于新设计
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V
容差:-
功率 - 最大值:500 mW
阻抗(最大值)(Zzt):65 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 25 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
工作温度:-55°C ~ 150°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:2-SMD,扁平引线
供应商器件封装:TUMD2
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