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SH8M13GZETB - ROHM
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图片信息
SH8M13GZETB 图片
SH8M13GZETB
  • 制造厂家：ROHM（罗姆）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-SOP
  • 技术参数：MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
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SH8M13GZETB 技术参数详情：
  • 型号:SH8M13GZETB
  • 品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
  • 封装:8-SOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 技术:-
  • 配置:N 和 P 沟道
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A，7A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 7A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SOP
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