RS1P600BETB1 - ROHM
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图片信息
RS1P600BETB1
制造厂家:
ROHM(罗姆)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-HSOP
技术参数:
MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
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RS1P600BETB1 技术参数详情:
型号:RS1P600BETB1
品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
封装:8-HSOP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17,5A(Ta),60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9,7 毫欧 @ 17,5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 500A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):33 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2200 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3W(Ta),35W(Tc)
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-HSOP
封装/外壳:8-PowerTDFN
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