RGT8TM65DGC9 - ROHM
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图片信息
RGT8TM65DGC9
制造厂家:
ROHM(罗姆)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-220NFM
技术参数:
IGBT TRENCH FS 650V 5A TO-220NFM
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RGT8TM65DGC9 技术参数详情:
型号:RGT8TM65DGC9
品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
封装:TO-220NFM
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT TRENCH FS 650V 5A TO-220NFM
系列:-
包装:管件
产品状态:不适用于新设计
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):12 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,4A
功率 - 最大值:16 W
开关能量:-
输入类型:标准
栅极电荷:13.5 nC
25°C 时 Td(开/关)值:17ns/69ns
测试条件:400V,4A,50欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):40 ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220NFM
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