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QS8J2TR - ROHM
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图片信息
QS8J2TR 图片
QS8J2TR
  • 制造厂家：ROHM（罗姆）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:TSMT8
  • 技术参数：MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
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QS8J2TR 技术参数详情：
  • 型号:QS8J2TR
  • 品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
  • 封装:TSMT8
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）:12V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 4A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1940pF @ 6V
  • 功率 - 最大值:550mW
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装:TSMT8
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