QH8KE5TCR - ROHM
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图片信息
QH8KE5TCR
制造厂家:
ROHM(罗姆)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:TSMT8
技术参数:
MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
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QH8KE5TCR 技术参数详情:
型号:QH8KE5TCR
品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
封装:TSMT8
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):202 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):2.8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):90pF @ 50V
功率 - 最大值:1.5W(Ta)
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商器件封装:TSMT8
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