HT8KE5HTB1 - ROHM
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图片信息
HT8KE5HTB1
制造厂家:
ROHM(罗姆)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:8-HSOP
技术参数:
100V 6.5A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,
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HT8KE5HTB1 技术参数详情:
型号:HT8KE5HTB1
品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
封装:8-HSOP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:100V 6.5A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A(Ta),6.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):210 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):3.7nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):105pF @ 50V
功率 - 最大值:2W(Ta),13W(Tc)
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:8-HSOP
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HT8KE5HTB1
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