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T1G4020036-FS - Qorvo
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Qorvo产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
T1G4020036-FS 图片
T1G4020036-FS
  • 制造厂家：Qorvo（科沃，Skyworks）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET，封装:NI-650
  • 技术参数：DC TO 3.5GHZ, 50V, 2 X 200 W GAN
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T1G4020036-FS 技术参数详情：
  • 型号:T1G4020036-FS
  • 品牌:Qorvo (科沃,预计将于2027年与Skyworks合并)
  • 封装:NI-650
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
  • 描述:DC TO 3.5GHZ, 50V, 2 X 200 W GAN
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 技术:HEMT
  • 配置:N 通道
  • 频率:3.5GHz
  • 增益:18.1dB
  • 电压 - 测试:55 V
  • 额定电流（安培）:-
  • 噪声系数:-
  • 电流 - 测试:520 mA
  • 功率 - 输出:200W
  • 电压 - 额定:145 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:NI-650
  • 供应商器件封装:NI-650
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