QJD1210011 - Powerex
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图片信息
QJD1210011
制造厂家:
Powerex
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:模块
技术参数:
MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
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QJD1210011 技术参数详情:
型号:QJD1210011
品牌:Powerex Inc. (Powerex)
封装:模块
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
系列:-
包装:散装
产品状态:南皇电子 停止提供
技术:碳化硅(SiC)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 100A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):500nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):10200pF @ 800V
功率 - 最大值:900W
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
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