UNR51A1G0L - Panasonic
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图片信息
UNR51A1G0L
制造厂家:
Panasonic(松下半导体,新唐科技Nuvoton)
类别封装:
晶体管(BJT) - 单路预偏压式,SC-85
技术参数:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
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UNR51A1G0L 技术参数详情:
制造商产品型号: UNR51A1G0L
制造商:松下半导体(Panasonic Electronic Components)
功能总体简述: TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
系列: -
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 80mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆): 10k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆): 10k
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 35 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 300A,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 80MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装
产品封装: SC-85
供应商器件封装: S迷你型3-F2
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