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FJ4B01100L1 - Panasonic
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图片信息
FJ4B01100L1 图片
FJ4B01100L1
  • 制造厂家：Panasonic（松下半导体，新唐科技Nuvoton）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:XLGA004-W-0808-RA01
  • 技术参数：MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004
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FJ4B01100L1 技术参数详情：
  • 型号:FJ4B01100L1
  • 品牌:Panasonic - ATG (Panasonic,松下半导体)
  • 封装:XLGA004-W-0808-RA01
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:74 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 1.2mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）:±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:459 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:XLGA004-W-0808-RA01
  • 封装/外壳:4-XFLGA，CSP
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