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EEV-TG1V102M - Panasonic
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图片信息
EEV-TG1V102M 图片
EEV-TG1V102M
  • 制造厂家：Panasonic（松下半导体，新唐科技Nuvoton）
  • 类别封装：电容器 > 铝电解电容器，封装:
  • 技术参数：CAP ALUM 1000UF 20% 35V SMD
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EEV-TG1V102M 技术参数详情：
  • 型号:EEV-TG1V102M
  • 品牌:Panasonic - ATG (Panasonic,松下半导体)
  • 封装:
  • 类目:电容器 > 铝电解电容器
  • 描述:CAP ALUM 1000UF 20% 35V SMD
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 电容:1000 F
  • 容差:±20%
  • 电压 - 额定:35 V
  • ESR（等效串联电阻）:75 毫欧 @ 100kHz
  • 不同温度时使用寿命:2000 小时 @ 125°C
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 极化:极化
  • 等级:AEC-Q200
  • 应用:汽车级
  • 不同低频时纹波电流:845 mA @ 120 Hz
  • 不同高频时纹波电流:1.3 A @ 100 kHz
  • 阻抗:-
  • 引线间距:-
  • 大小 / 尺寸:0.709 直径（18.00mm）
  • 高度 - 安装（最大值）:0.650（16.50mm）
  • 表面贴装焊盘尺寸:0.748 长 x 0.748 宽（19.00mm x 19.00mm）
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:径向，Can - SMD
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