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EEG-A1H412CGE - Panasonic
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图片信息
EEG-A1H412CGE 图片
EEG-A1H412CGE
  • 制造厂家：Panasonic（松下半导体，新唐科技Nuvoton）
  • 类别封装：电容器 > 铝电解电容器，封装:
  • 技术参数：CAP ALUM 4100UF 20% 50V SCREW CH
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EEG-A1H412CGE 技术参数详情：
  • 型号:EEG-A1H412CGE
  • 品牌:Panasonic - ATG (Panasonic,松下半导体)
  • 封装:
  • 类目:电容器 > 铝电解电容器
  • 描述:CAP ALUM 4100UF 20% 50V SCREW CH
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 电容:4100 F
  • 容差:±20%
  • 电压 - 额定:50 V
  • ESR（等效串联电阻）:107 毫欧 @ 120Hz
  • 不同温度时使用寿命:3000 小时 @ 85°C
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 极化:极化
  • 等级:-
  • 应用:通用
  • 不同低频时纹波电流:5.4 A @ 120 Hz
  • 不同高频时纹波电流:-
  • 阻抗:-
  • 引线间距:0.500（12.70mm）
  • 大小 / 尺寸:1.375 直径（34.93mm）
  • 高度 - 安装（最大值）:3.125（79.38mm）
  • 表面贴装焊盘尺寸:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:径向，Can - 螺丝端子
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