EEE-HB1V330AP - Panasonic
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图片信息
EEE-HB1V330AP
制造厂家:
Panasonic(松下半导体,新唐科技Nuvoton)
类别封装:
电容器 > 铝电解电容器,封装:
技术参数:
CAP ALUM 33UF 20% 35V SMD
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EEE-HB1V330AP 技术参数详情:
型号:EEE-HB1V330AP
品牌:Panasonic - ATG (Panasonic,松下半导体)
封装:
类目:电容器 > 铝电解电容器
描述:CAP ALUM 33UF 20% 35V SMD
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
电容:33 F
容差:±20%
电压 - 额定:35 V
ESR(等效串联电阻):-
不同温度时使用寿命:2000 小时 @ 105°C
工作温度:-40°C ~ 105°C
极化:极化
等级:AEC-Q200
应用:汽车级
不同低频时纹波电流:84 mA @ 120 Hz
不同高频时纹波电流:142.8 mA @ 10 kHz
阻抗:-
引线间距:-
大小 / 尺寸:0.315 直径(8.00mm)
高度 - 安装(最大值):0.244(6.20mm)
表面贴装焊盘尺寸:0.327 长 x 0.327 宽(8.30mm x 8.30mm)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:径向,Can - SMD
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EEE-HB1V330AP
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