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PSMN165-200K - Nexperia
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图片信息
PSMN165-200K 图片
PSMN165-200K
  • 制造厂家：Nexperia（安世半导体）
  • 类别封装：FET，MOSFET - 单-晶体管，8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 技术参数：MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
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PSMN165-200K 技术参数详情：
  • Nexperia公司器件型号：PSMN165-200K,518
  • 制造商：Nexperia（安世半导体）
  • 功能总体描述：MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
  • 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
  • 系列：TrenchMOS??
  • 零件状态：在售
  • FET 类型：N 沟道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源极电压（Vdss）：200V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.9A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：40nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1330pF @ 25V
  • Vgs（最大值）：-
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.5W（Tc）
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：165 毫欧 @ 2.5A，10V
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装
  • Nexperia公司标准封装：8-SO
  • 封装形式：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • PSMN165-200K的标准包装数量(SPQ)：10000 PCS
  • 快速提供PSMN165-200K专业且全面的报价，Nexperia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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