图片信息
PEMT1,315 技术参数详情：
- 产品型号:PEMT1,315
- 产品品牌:Nexperia USA Inc.
- 产品类目:晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列（分立半导体）
- 产品描述:TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666
- 产品封装:SOT-563，SOT-666
- 产品系列:-
- 包装:卷带（TR）剪切带（CT） 南皇定制卷带
- 产品状态:不适用于新设计
- 晶体管类型:2 PNP（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V
- 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）:200mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:120 @ 1mA，6V
- 功率 - 最大值:300mW
- 频率 - 跃迁:100MHz
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装:SOT-666
- 快速提供PEMT1,315专业且全面的报价，Nexperia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多Nexperia产品：
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管（电路
逻辑 > 门和反相器（集成电路（IC））
逻辑 > 计数器，除法器（集成电路（IC））
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
二极管 > 齐纳（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
接口 > 模拟开关，多路复用器，解复用器（集
晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管（分立
端子块 > 专用（连接器，互连器件）
射频放大器（射频和无线）
同轴电缆（射频）（电缆组件）
嵌入式 > FPGA（现场可编程门阵列）（集成电
接近/占位传感器成品（传感器，变送器）
PEMT1,315（制造商：Nexperia） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台