图片信息
- 制造厂家：Nexperia
- 类别封装：晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管（分立半导体），TO-261-4，TO-261AA
- 技术参数：TRANS NPN 100V 5.1A SOT223
- 需要PBSS306NZ,135的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
PBSS306NZ,135 技术参数详情：
- 产品型号:PBSS306NZ,135
- 产品品牌:Nexperia USA Inc.
- 产品类目:晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管（分立半导体）
- 产品描述:TRANS NPN 100V 5.1A SOT223
- 产品封装:TO-261-4，TO-261AA
- 产品系列:-
- 包装:卷带（TR）剪切带（CT） 南皇定制卷带
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:5.1 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
- 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 255mA，5.1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 2A，2V
- 功率 - 最大值:2 W
- 频率 - 跃迁:110MHz
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装:SOT-223
- 快速提供PBSS306NZ,135专业且全面的报价，Nexperia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多Nexperia产品：
晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列（
二极管 > 齐纳（分立半导体）
逻辑 > 触发器（集成电路（IC））
晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管（分立
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管（电路
晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
逻辑 > 缓冲器，驱动器，接收器，收发器（集
晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体
嵌入式 > 片上系统（SoC）（集成电路（IC）
光纤收发器模块（光电器件）
圆形连接器 > 圆形连接器适配器（连接器，互
RF 天线（射频和无线）
外置/内置电源配件（电源 - 外部/内部（板外
PBSS306NZ,135（制造商：Nexperia） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台