据媒体报道，近日，研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在3D NAND闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，将蚀刻速度提高了一倍，提高了精度，为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。

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这项研究是由来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家通过模拟和实验进行的。

根据报道，前PPPL研究员、现就职于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等离子体Honeywell代理商中发现的带电粒子是创建微电子学所需的非常小但很深的圆孔的最简单方法。

然而，这种被称为反应离子刻蚀的过程尚未完全了解，可以改进。最近的一项发展涉及将晶圆（要加工的半导体材料片）保持在低温下，这种新兴的方法称为冷冻蚀刻。

传统上，冷冻蚀刻使用单独的氢气和氟气体来打孔。研究人员将该工艺的结果与使用氟化氢气体产生等离子体的更先进的低温蚀刻工艺进行了比较。

结果显示，与以前的冷冻蚀刻工艺相比，使用氟化氢等离子体的冷冻蚀刻显示出蚀刻速率的显着增加。在蚀刻氧化矽、氮化矽交替层时，蚀刻速率可从每分钟310纳米提升至640纳米，提升超过一倍，蚀刻品质也同步提升。

同时，研究人员还研究了三氟化磷的影响。他们发现，添加三氟化磷使二氧化硅的刻蚀速率增加了四倍，尽管它只略微提高了氮化硅的刻蚀速率。