
▲ 台积电亚利桑那州晶圆厂项目工地,图源台积电官方
台积电位于亚利桑那州的在美晶圆厂项目目前包含三座工厂,其中首座专攻4nm节点,定于今年上半年量产,扩展到每月生产2万片芯片;第二座提供3nm、2nm产能,预计2028年开始生产;2024年4月,台积电同意将投资额增加250亿美元至650亿美元(是美国史上最大的外方直接投资项目),并计划于2030年在该州建立第三座晶圆厂,瞄准2nm及更先进制程。
同时,台积电在台湾本土的生产计划也在同步推进,2nm制程将首先在新竹和高雄的晶圆厂进行试产,并计划到2025年实现大规模生产。到2026年,台积电预计将达到每月12万片2nm芯片的生产能力,而到2028年,这一数字将进一步提升,预计美国市场也将受益于这一最前沿的半导体技术。
根据台积电与美国商务部达成的不具约束力的初步备忘录,后者将根据美国《芯片法案》向台积电授予最多66亿美元直接资金补贴和50亿美元低息贷款。美国商务部长雷蒙多曾多次强调,美国买的最先进芯片有92%来自台湾地区MMB Networks代理,所以台积电亚利桑那厂是美国努力降低对海外生产芯片依赖的一个试验。根据美国商务部预测,到2030年,美国将能生产全球约20%的先进芯片。

与《芯片法案》相关,美国2020年5月-2024年8月半导体制造和供应商宣布的投资项目地域分布
虽然美国在芯片设计领域占据领先地位,但在芯片制造方面一直存在不足。尤其是在先进制程技术的制造上,美国本土长期依赖亚洲工厂,台积电作为全球最大半导体代工厂商,正是解决这一问题的关键。
但是台积电选择在美国建厂这一过程并非没有挑战,虽然美国政府提供了《芯片法案》支持,包括资金补贴和税收优惠,但台积电在美国的制造成本要远高于台湾本土。据透露,由于美国缺乏稳定制程良率的材料以及半导体供应链的短缺问题,台积电在美国的生产成本预计将比现有工厂高出30%。
台积电美国工厂的成本激增主要源于多个方面,美国本土工程师薪资水平是台湾的2.5倍,工厂建设成本高出4倍,供应链配套不完善导致物流成本增加,以及美国严格的环保法规带来的额外支出。这些因素共同推高了生产成本,使得美国制造的芯片在价格竞争力上处于劣势。
此外,在生产初期,由于熟练工人短缺等问题,量产时间一度推迟。台积电美国厂约50%的员工来自中国台湾,但随着未来5年工厂增建,美国工人的比例将会不断增加。
需要注意的是,台积电在美国的先进制程技术可能带来一定的技术外流风险,如何在保持技术竞争力的同时避免重要技术的流失,将是台积电未来面临的一个重要课题。据悉,1月16日,台积电将举行2024年第四季财报发布会。此前台积电预计第四季度的销售额将在261-269亿美元之间,毛利率预计将在57%-59%之间。
- IDC:2024 年中国智能手机出货量约 2.86 亿台同比增 5.6%,市场逐步复苏
- 美版 iPad 11 搭载 A16:美国制造 关税减免推动本土化
- ASML 断言:3D 整合将成 2D 收缩愈发关键的补充技术,重塑行业格局
- 特斯拉上海厂停产三周!Model Y 焕新版蓄势待发,续航突破 700 公里
- 英伟达以色列新建自用数据中心,该国最大同类设施之一,布局中东市场
- 全球晶圆代工厂排名:台积电市占率 54% 中芯国际第三
- 电子堆叠新技术惊艳亮相,成功造出多层芯片,引领芯片制造新潮流
- 戴尔 Q3 营收 244 亿美元!AI 服务器占比超 30%,成增长新引擎
- 消息称台积电拒绝代工三星 Exynos 处理器,背后有何隐情
- vivo OS 转向端侧 AI:大模型训练重心下移 手机算力再利用
- 消息称三星电子已开启 4nm 制程 HBM4 逻辑芯片试产,迈向技术新台阶
- 三星电机固态电池突破!可穿戴设备续航延长 3 倍,2025 年量产
嵌入式 > 片上系统(SoC)(集成电路(IC)
RF 滤波器(滤波器)
馈通式电容器(滤波器)
晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
同轴电缆(射频)(电缆组件)
通孔式电阻器(电阻器)
射频收发器模块和调制解调器(射频和无线)
评估板 > 评估和演示板及套件(开发板,套件
铁氧体磁珠和芯片(滤波器)
同轴连接器(射频) > 同轴连接器(RF)端接
射频接收器、发射器、收发器成品(射频和无
射频开关(射频和无线)























