图片来源：台积电

先进封装：大厂技术布局与合作新篇

台积电计划兴建的3座晶圆厂和2座先进封装设施选址备受关注。目前虽未完全敲定具体地址，但从其过往在亚利桑那州建设晶圆厂的经验来看，新厂大概率也会落子在美国半导体产业聚集区域，以便获取人才、技术以及上下游产业链配套的便利。

此前，台积电和Amkor安靠共同宣布，双方已签署合作备忘录，安靠将为台积电美国亚利桑那州厂房提供先进封装测试服务，包括InFO和CoWoS，以满足共同客户的产能需求。近期Amkor官方最新消息显示，该公司正在建设和TSMC Arizona配套的高级封测产能。

对于台积电此番建设新的封装厂是否会与安靠厂房形成新的竞争，行业更多的观点趋向于不会，双方在未来或会形成更密切的合作。主要原因方面，一是当前先进封装产能市场缺口较大，随着人工智能、高性能计算等领域的迅猛发展，对先进芯片的需求呈现出爆发式增长。

从需求端来看，云服务巨头如亚马逊AWS、微软、谷歌、Meta等，对大型、高性能芯片的需求极为旺盛。这些企业在大数据处理、云计算、人工智能算法训练等业务上的持续拓展，需要大量具备强大算力的芯片来支撑。譬如英伟达的多款高性能芯片对于CoWoS封装需求较大，AMD的MI300系列加速器在将CPU和GPU组合时采用了SOIC技术，之后在集成高带宽内存（HBM）时运用CoWoS技术等。

另一方面，则是先进封装市场广阔，台积电与安靠及日月光合作密切，分工合作，正在共同推动先进封装适配市场需求。行业消息最新显示，台积电已将CoWoS前段关键CoW制程、后段WoS制程委外给了日月光投控旗下矽品精密以及Amkor承接。市场预计，随着先Terasic代理商进封装产能缺口持续扩大，日月光、安靠等将接受更多台积电先进封装的外溢订单。

而从台积电自己的“晶圆代工2.0”生态模式看，其已将包含封装、测试、光罩等逻辑IC制造相关领域纳入其晶圆代工业务范畴，晶圆代工和先进封装的联系日益密切。并且基于当代摩尔定律放缓，先进制程亟需破圈时刻，先进封装更需接棒，台积电更会扭好先进封装和先进制程两股绳，共同推动芯片性能提升。

除了台积电以外，近期晶圆代工大厂格芯（GlobalFoundries）宣布，已在纽约马耳他晶圆厂建造先进封装和测试设施，以满足硅光子学等关键终端市场芯片需求，预计设施投资5.75亿美元。该项目受到官方支持，美国纽约州政府将提供2000万美元的资金助力，此前美国商务部依据《芯片法案》已向格芯拨付15亿美元的直接拨款，还有16亿美元的贷款，部分资金也将用于支援此项计划。

日月光方面，其近日则宣布，决定投入2亿美元在中国台湾高雄设立面板级扇出型封装（FOPLP）量产线，预计今年第2季和第3季装机，年底试产，若顺利将于明年开始为客户认证。另外，其在马来西亚槟城第四厂和第五厂也在近日举行了启用典礼。

力成科技在日本的子公司Tera Probe也于今年1月末宣布，将在日本九州熊本县投入50亿日元（约合人民币2.4亿元），用于半导体检测和量产测业务。资料显示，力成科技拥有先进的晶圆级封装技术，如FCCSP技术、BGA封装技术、QFN封装技术、SiP技术等。

安靠科技(Amkor Technology)旗下的越南安靠科技计划将其北宁工厂的年产能从12亿片翻倍至36亿片。据悉，该公司自去年9月开始就在持续扩建，据悉新厂扩建后将更加专注于先进的系统级封装 (SiP) 和HBM内存集成，并将提供从设计到电气测试的交钥匙解决方案。

先进制程：多方工艺突破与竞争角逐

公开资料显示，台积电目前规划在亚利桑那州建设三座晶圆厂，总投资额高达650亿美元。其中第一座晶圆厂已于2024年第四季度开始大规模生产4nm工艺（N4P）芯片。

第二座晶圆厂方面，据台积电供应链获悉，未来将供应3nm产能的TSMC Arizona第二晶圆厂目前已完成主体厂房建设，正进行内部无尘室和机电整合工程，预计2026年一季度末开始工艺设备安装。从时间表来看第二晶圆厂有望2026年底试产，2027下半年量产，进度快于此前公布的2028年投产。

第三座晶圆厂建设上，早在2月中上旬，台积电发布新闻稿时就表示，台积电计划在亚利桑那菲尼克斯建设的第三晶圆厂Fab 21p将于今年年中动工。该晶圆厂将包含2nm和A16节点制程工艺，原计划该厂将于2029年末投产，随着动工时间提前，目前有望提前至2027年初试产、2028年量产。

据悉，台积电在此次新增的1000亿美元投资中明确提到，新增3座晶圆厂将采用“2nm或更先进制程”，预计2029~2030年间量产。具体信息还有待进一步披露。

值得注意的是，近日据行业媒体最新消息，台积电在日本熊本县的第二座晶圆厂，原计划2025年一季度动工，现调整为2025年内动工，尽管2027年底投产的目标保持不变，但这已是该项目第二次推迟动工时间，此前已从2024年延至2025年一季度。

对此，行业人士消息显示，台积电日本工厂动工时间调整或受到其全球晶圆厂建设进程有所侧重影响，即优先推动美国晶圆厂建设，而后再推动日本工厂建设。

近期，业界传出台积电新竹宝山厂今年内2纳米制程月产能有机会达2.5万片，对此台积电虽不予评论，但强调2纳米制程技术进展良好，将如期在今年下半年量产。市场预期，顺利量产后，台积电新竹与高雄两地会加快提升2纳米制程月产能，年底前合计上看5万片，若第二阶段进展顺利，有机会迈向8万片。

在先进制程领域，值得关注的还有英特尔。近日，英特尔宣布其位于俄亥俄州的尖端芯片制造基地投产时间大幅推迟。据悉，这座于2022年宣布建设的芯片厂，原计划2025年投产，初期投资约280亿美元，总投资高达约1000亿美元。如今这座晶圆工厂投产时间从原计划的2025年推迟至2030年，第二座工厂预计延至2032年投产。

公开资料显示，这已经是该项目的第二次延期，此前在2024年3月，英特尔曾将完工时间从2025年调整至2026~2027年。英特尔全球运营执行副总裁钱德拉塞卡兰表示，延期决策基于“市场需求匹配”和“资本开支优化”的双重考量。

在技术层面，英特尔一直在努力追赶先进制程工艺。其18A制程芯片备受业界关注。今年2月下旬，英特尔宣布，其18A制程节点（1.8纳米）已经准备就绪，并计划在今年上半年开始设计定案。

英特尔硅光子集团首席项目经理Joseph Bonetti近日在LinkedIn软件上发文称，英特尔将凭借Intel 18A与High-NA EUV重新夺回工艺技术领先地位，且英伟达和博通都在与英特尔进行制造测试。另外，AMD也在评估英特尔的18A制造工艺是否适合其需求。此前该公司就表示，公司已经与微软和亚马逊签署了基于18A生产芯片的协议。

据悉，英特尔18A制程相较于英特尔3nm制程，可将芯片密度提升30%，并提高每瓦性能约15%。英特尔计划将18A制程应用于即将推出的Panther Lake笔电处理器与Clearwater Forest服务器CPU。

公开资料显示，英特尔18A制程的两大关键技术为RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。RibbonFET实现全环绕栅极（GAA）架构，与传统鳍式场效晶体管（FinFET）相比，能更精准控制电流，降低功耗与漏电，且通过垂直堆叠晶体管沟道，减少空间占用，提升性能并赋予芯片设计更高灵活性。

PowerVia背面供电技术改变芯片布线逻辑，实现电源线与互连线分离，使晶体管供电路径更直接，减少信号串扰与功耗，测试显示其可将平台电压降低优化30%，还能提升芯片内部空间利用率，实现6%的频率增益和超90%的标准单元利用率。据悉，英特尔还计划在Intel 18A之后推出采用High-NAEUV光刻技术的Intel 14A制程，进一步推动晶体管微缩。

近日英特尔深陷分拆疑云，行业多方消息表示，台积电和美国博通或许会分别接手其制造业务和设计营销业务。对此消息，三方均未明确回应。此番英特尔能否依托其在先进制程上的破局扭转局势，市场还在持续关注。