2025年2月19日 英国剑桥-氮化镓（GaN）功率器件的领先创新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200万美元的C轮融资。该投资由一位战略投资者牵头、英国耐心资本参与，并获得了现有投资者 Parkwalk、英国企业发展基金（BGF）、剑桥创新资本公司（CIC）、英国展望集团（Foresight Group）和 IQ Diodes代理Capital 的支持。

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电力电子进入 GaN 的时代

氮化镓器件代表了电力电子领域的突破。与传统的硅基解决方案相比，它提供了更快的开关速度、更低的能耗和更紧凑的设计。CGD专有的、强大的单片集成 ICeGaN 技术简化了 GaN 在现有和渐进式设计中的执行，提供了超过99%的效率水平，在包括电动汽车和数据中心电源在内的各种高功率应用中实现了高达50%的节能。由于这些应用有望使每年节省数百万吨的二氧化碳排放，加之 ICeGaN 技术为客户提供的固有的易用性，加速了全球向更可持续能源系统的过渡。

GiorGIA LONGOBARDI | CGD 首席执行官和创始人

“本轮融资标志着CGD的一个重要节点，验证了我们的技术和通过高效的GaN解决方案彻底改变电力电子行业的目标——使可持续的电力电子成为可能。我们现在正朝着快速增长的方向前进，期望降低多个领域的能源消耗。我们期待与我们的战略投资者共同开拓汽车市场”。

市场机会和卓著的口碑

全球 GaN 功率器件市场预计实现41%复合年增长率的惊人增长，到20291年将达到20亿美元。结合了高能效、小型化和单片集成的智能功能 ICeGaN 被视为使用碳化硅（SiC）的现有解决方案的可行替代方案，并助力 CGD 进军预计到20291年超过百亿美元的高功率市场。凭借尖端技术和市场领导地位，CGD 完全有能力在这一快速扩张的市场占据有利地位。成功地赢得了行业领先客户青睐的 CGD 有能力始终如一，为客户提供可靠和有影响力的解决方案，推进行业创新。

Henryk Dabrowski | CGD销售高级副总裁

“我很高兴此次融资有助于 CGD 为成交的客户提供最新一代 P2 产品。这项投资将大大提高我们的产能，满足更多对可靠且易于使用的 GaN 解决方案日益增长的需求。”

全球扩张与未来愿景

凭借全球专家团队、数十年的研究、以及对推动 GaN 技术进步的承诺，CGD 始终如一地为市场提供解决方案，增强常用电子产品的性能。随着世界向电气化和可持续发展方向的迈进，CGD 在 GaN 技术方面的领先地位为降低能耗、降低成本和减轻环境影响提供了一条途径。通过实现高效、紧凑和高性能的功率器件，CGD 正在为可持续电力电子产品树立新的标准。

这笔资金将帮助 CGD 扩大在剑桥、北美、中国台湾地区和欧洲的业务，为不断增长的客户提供 CGD 独特的价值主张；并将推动实施 CGD 继续向大功率工业、数据中心和汽车市场提供高效的 GaN 产品的增长战略。

John Pearson | Parkwalk顾问公司首席投资官

“CGD 处于可以降低人工智能和电动汽车等蓬勃发展行业的能源需求的技术前沿。巨大的全球潜力和广泛的应用有助于 CGD 继续创新和发展。我们很自豪自2019年以来一直支持 CGD 以及其出色的团队，并同其他投资者合作，加快 CGD在 全球的扩张。”

George Mills | 深度科技、英国耐心资本直接和共同投资总监

“经过多年的研发，CGD 已经证明了其半导体技术的影响力。他们的 GaN 器件比硅基器件消耗更少的能量，既降低了成本，又对环境产生了积极的影响。这项有价值的技术现在需要长期资本助力其扩大规模。”

关于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆半导体公司，由剑桥大学的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于2016年自剑桥大学分拆后成为独立公司，致力于开发功率器件的革命性技术。CGD 的使命是通过提供最高效、最可靠的产品来塑造电力电子的未来。CGD 的设计、开发和商业化，实现了 GaN 器件和 IC 在能源效率和紧凑性上的根本性转变，适用于大批量生产。CGD 技术受到强大的知识产权组合的保护，领先的创新技能和雄心推动着 CGD 不断的进步。