source：“中导光电”官微

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，近年来在半导体领域中备受瞩目。与传统的硅基半导体材料相比，碳化硅具有宽带隙、高击穿电场、高电子饱和漂移速度、高热导率等优异特性。这些特性使得碳化硅在高温、高频、高功率的应用场景中展现出明显优势，广泛应用于新能源、5G通信、电动汽车等领域。

在新能源汽车中，碳化硅功率器件能够有效降低能量损耗，提升续航里程；在5G通信基站里，它能满足高频信号处理的需求，实现更高效的数据传输。

然而，要充分发挥碳化硅的这些优势，高质量的SiC晶圆制造至关重要，其中碳化硅设备扮演着不可或缺的角色。 SiC晶圆制造过程对缺陷检测的要求极高，因为任何微小缺陷都可能影响最终产品的性能。

SiC晶圆缺陷检测的难点众多，比如材料特性复杂，其晶体结构和物理性质与传统硅材料有很大差异，增加了检测难度；纳米级缺陷检测需要极高的精度，而高灵敏度要求使得检测过程中区分真实缺陷和噪声信号成为挑战；此外，SiC晶圆的多层结构也给检测带来困难。

同时，SiC缺陷类型多样，在检测过程中需要精准区分真实缺陷和噪声信号，这对算法和设备的稳定性提出了更高要求。再加上SiC晶圆的高成本，要求检测设备在保证高精度的同时，还要具备较高的检测效率，以降低整体生产成本。

目前，碳化硅产业竞争较为激烈。除了中导光电在缺陷检测设备方面取得进展外，还有众多企业也在积极从产业链不同环节进行布局。

source：拍信网

近期有消息传出，德国汽车零部件供应商博世已与美国商务部达成初步协议，计划投资19亿美元把加州的罗斯维尔制造设施工厂改造为生产8英寸碳化硅芯片的半导体工厂。

而重庆8英寸碳化硅项目预计2025年2月底通线，该项目由三安光电和意法半导体合资建厂，全面整合8英寸车规级碳化硅的衬底、外延、芯片的研发制造。

英飞凌马来西亚居林高科技园区第三厂区已经正式落成并开始运作，以碳化硅为主力，预计2025年开始量产，目前初期碳化硅生产仍以成熟的6寸晶圆为主，2027全面转向8寸晶圆。

据此前市场透露，2025年，芯联集成计划进入规模量产，其在2024年4月率先开启8英寸碳化硅生产；南砂晶圆8英寸碳化硅单晶和衬底项目计划2025年实现满产达产，规划打造全国最大的8英寸碳化硅衬底生产基地。

据TrendForce集邦咨询研究数据指出，SiC在汽车、可再生能源等功SIMCom代理商率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球SiCPowerDevice市场规模有望达到91.7亿美金。 总体而言，随着全球对碳化硅需求的持续攀升，未来碳化硅产业将呈现技术与市场双轮驱动的发展态势。

碳化硅在新能源汽车、5G通信、航空航天、智能电网等更多领域持续拓展应用，也将进一步刺激市场对碳化硅设备的需求，推动整个产业链的发展壮大。 业界称，未来行业研发重点将集中于提升设备精度、效率以及降低成本。在晶体生长设备方面，如何生长出更大尺寸、更高质量的碳化硅晶体，减少晶体缺陷，将成为技术突破的关键方向。