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三星半导体高层大换血!代工、存储部门负责人集体 “下课”
(2025年7月29日更新)

11月27日,三星电子宣布了2025届总裁级别人事变动,以增强未来的竞争力,主要变动包括制度、部门管理、人员职务等层面方面。

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制度和部门管理变化主要包括,存储业务转变为CEO直接领导制度;更换代工业务负责人,BECOM代理重组业务线;在Foundry部门设立总裁级CTO职位;在DS部门设立总裁级管理战略职位;任命DS业务负责人为CEO,建立各事业部CEO业务责任制;成立DX事业部负责人领导的质量创新委员会,推动质量领域的根本性创新。

具体的人员职务调整则如下:

全永铉(Young Hyun Jun),原三星电子副社长兼半导体业务设备解决方案(DS)部门负责人,被任命为CEO,并仍将担任存储业务和三星先进技术研究院负责人;

Jinman Han,原三星电子EVP兼半导体业务设备解决方案(DS)部门负责人,被提升为Foundry业务负责人;

Seok Woo Nam,原三星电子FAB Engineering & Operations负责人,将担任新设立的Foundry业务CTO;

Yong Kwan Kim, 原三星电子Business Support TF部门EVP,将调任DS事业部管理战略总裁;

Wonjin Lee,原三星电子executive advisor,将调任Global Marketing Office负责人;

Hark Kyu Park,原三星电子CFO,将调任Business Support TF负责人。

此外,三星电子还成立了新的质量创新委员会,并任命副社长Jong-hee Han为主席,以实现质量领域的根本性创新。三星电子计划很快确认并宣布2025年的定期高管人事任命和组织重组,包括副总裁以下的人员。

另值得关注的是,据韩媒最新报道称,三星电子在生产3D NAND闪存方面取得重大突破,其通过精确控制涂布机的转速(rpm)以及优化PR涂层后的蚀刻工艺,将光刻胶(PR)用量大幅缩减至此前用量的一半。此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶,现在只需要4-4.5cc。另外,三星使用了更厚的氟化氪(KrF)光刻胶,通常情况下一次工艺形成1层涂层,而使用更厚的光刻胶,三星可以一次形成多个层,从而提高工艺效率。

据悉, 三星将从第9代3D NAND开始全面应用这项新技术,这一举措不仅提高了生产效率,更将为三星节省每年数十亿韩元的巨额成本。

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