随着人工智能在数据中心和边缘的引入，对内存的需求从未如此之大。美光向 1γ DRAM 节点的过渡有助于解决客户希望解决的关键挑战：

增强的性能——基于Micron 1γ的 DRAM 提供了更高的性能，将支持从数据中心到边缘设备的各种内存产品的计算扩展，以满足未来 AI 工作负载的需求。

节省功耗——美光的 1γ 节点采用下一代高 K 金属栅极 CMOS 技术，并结合设计优化，可将功耗降低 20% 以上，从而改善热性能。

提高位密度输出——美光的 1γ 节点利用EUV 光刻技术、设计优化和工艺创新，与上一代产品相比，每晶圆的位数输出提高了 30% 以上，并且能够有效扩展内存供应。

美光执行副总裁兼首席技术与产品官 Scott DeBoer 表示：「美光在开发专iNRCORE代理有 DRAM 技术方面的专业知识，加上我们对 EUV 光刻技术的战略性使用，已形成强大的尖端 1γ 内存产品组合，有望推动 AI 生态系统向前发展。1γ DRAM 节点的增强位密度输出彰显了美光的制造实力和效率，使我们能够扩大内存供应以满足不断增长的行业需求。」
美光经过多代验证的 DRAM 技术和制造策略促成了这一优化的 1γ 节点的诞生。1γ DRAM 节点创新得到了 CMOS 进步的支持，包括下一代高 K 金属栅极技术，该技术可提高晶体管性能，从而实现更好的速度能力、设计优化和特征尺寸缩小，所有这些都带来了节能和性能扩展的好处。此外，通过最佳地结合尖端 EUV 光刻技术、先进的高纵横比蚀刻技术和行业领先的设计创新，1γ 节点可提供行业领先的位密度优势。通过在全球各地开发 1γ 节点制造，美光正在帮助确保行业拥有更好的技术和供应弹性。
美光科技执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 表示：「美光再次引领行业推出全球最先进的内存技术。美光的 1γ DRAM 节点具有无与伦比的能效和非凡的性能，是一项突破性的成就。美光 1γ DRAM 产品将通过为从数据中心到边缘的所有细分市场提供可扩展的内存解决方案来彻底改变 AI 生态系统，使我们的客户能够始终领先于快速发展的行业需求。」

将产品从云端转变为边缘

作为未来产品的基础，1γ 节点将集成到美光的内存产品组合中：

数据中心：基于 1γ 的数据中心 DDR5 内存解决方案，可将性能提高 15%，提高能源效率，并有助于持续扩展服务器性能，从而使数据中心能够在未来的机架级功率和热设计中进行优化。

Edge AI：1γ低功耗 DRAM 解决方案可提高节能效果并增加带宽，从而增强 Edge AI 解决方案的用户体验。

AI PC：1γ DDR5 SODIMM 可提高性能并将功耗降低 20%，从而延长电池寿命并改善整体笔记本电脑用户体验。

移动: 1γLPDDR5X将在边缘实现卓越的 AI 体验，并延续美光在移动技术领域的领导地位。

汽车: 基于 1γ 的 LPDDR5X 内存可扩展容量、寿命和性能，同时实现高达 9600 MT/s 的速度。

AMD 服务器平台解决方案工程公司副总裁 Amit Goel 表示：「我们很高兴看到美光在 1γ DRAM 节点上取得进展，我们已经开始对美光 1γ DDR5 内存进行验证。我们的密切合作至关重要，因为我们将继续通过下一代AMD EPYC产品（用于数据中心）以及整个产品组合中的消费级处理器来推进计算生态系统。」
「美光 1γ 节点的进步为英特尔服务器和 AI PC 带来了显著的功率和密度改进。我们很高兴看到美光在 DRAM 技术方面的持续创新，并期待基于这些容量来增强服务器系统性能和 PC 电池寿命，」英特尔公司副总裁兼内存和 IO 技术总经理 Dimitrios Ziakas 博士表示。「英特尔正在努力通过其对美光 1γ DDR5 内存样品的严格服务器验证流程，为客户提供具有最高质量和一流体验的服务器系统。」
符合条件的客户和合作伙伴可参加美光针对 DDR5 的技术支持计划 (TEP)，该计划提供早期获取技术信息和电气和热模型的机会，以及协助设计、开发和推出下一代计算平台的支持。