MSRTA200120(A)D - Navitas
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图片信息
MSRTA200120(A)D
制造厂家:
Navitas(纳微半导体)
类别封装:
二极管 - 整流器 - 阵列,封装:三塔
技术参数:
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
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MSRTA200120(A)D 技术参数详情:
制造商产品型号:MSRTA200120(A)D
制造商:GeneSiC Semiconductor (已被Navitas纳微半导体收购)
描述:DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
系列:二极管 - 整流器 - 阵列
产品系列:-
零件状态:有源
二极管配置:1 对串联
二极管类型:标准
电压-DC反向(Vr)(最大值):1200V
电流-平均整流(Io)(每二极管):200A
不同If时电压-正向(Vf):1.1V @ 200A
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr):-
不同Vr时电流-反向泄漏:10A @ 1200V
工作温度-结:-55°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装:三塔
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MSRTA200120(A)D
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