PTVS12VS1UTR,115 - NXP
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图片信息
PTVS12VS1UTR,115
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
二极管TVS,SOD123W
技术参数:
TVS DIODE 12VWM 19.9VC SOD123W
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PTVS12VS1UTR,115 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PTVS12VS1UTR,115
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:TVS DIODE 12VWM 19.9VC SOD123W
系列:自动, AEC-Q101
类型:齐纳
单向通道:1
双向通道:-
电压 - 反向关态(典型值):12V
电压 - 击穿(最小值):13.3V
电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:19.9V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs):20.1A
功率 - 峰值脉冲:400W
电源线路保护:无
应用:自动
不同频率时的电容:-
工作温度:-55°C ~ 185°C(TA)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOD-123W
供应商器件封装:SOD123W
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PTVS12VS1UTR,115
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