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PSMN3R0-60BS,118 - NXP
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图片信息
PSMN3R0-60BS,118 图片
PSMN3R0-60BS,118
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：单端场效应管，D2PAK
  • 技术参数：MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
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PSMN3R0-60BS,118 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：PSMN3R0-60BS,118
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.2 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：130nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8079pF @ 30V
  • 功率 - 最大值：306W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：D2PAK
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