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PMV32UP,215 - NXP
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图片信息
PMV32UP,215 图片
PMV32UP,215
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：单端场效应管，SOT-23
  • 技术参数：MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
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PMV32UP,215 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：PMV32UP,215
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 2.4A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1890pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：510mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装：SOT-23 (TO-236AB)
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