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PMPB10XNE,115 - NXP
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图片信息
PMPB10XNE,115 图片
PMPB10XNE,115
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：单端场效应管，6-DFN2020MD
  • 技术参数：MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
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PMPB10XNE,115 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：PMPB10XNE,115
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：14 毫欧 @ 9A， 4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：34nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2175pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：1.7W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：6-DFN2020MD （2x2）
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