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BZV85-C30,113 - NXP
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图片信息
BZV85-C30,113 图片
BZV85-C30,113
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：单齐纳二极管，DO-41
  • 技术参数：DIODE ZENER 30V 1.3W DO41
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BZV85-C30,113 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：BZV85-C30,113
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：DIODE ZENER 30V 1.3W DO41
  • 系列：-
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：30V
  • 容差：±5%
  • 功率 - 最大值：1.3W
  • 阻抗（最大值）(Zzt)：45 欧姆
  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：50nA @ 21V
  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1V @ 50mA
  • 工作温度：-65°C ~ 200°C
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
  • 供应商器件封装：DO-41
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