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BST62,115 - NXP
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图片信息
BST62,115 图片
BST62,115
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：单路晶体管(BJT)，SOT-89-3
  • 技术参数：TRANS PNP DARL 80V 1A SOT89
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BST62,115 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：BST62,115
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：TRANS PNP DARL 80V 1A SOT89
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：80V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：1.3V @ 500A， 500mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：50nA
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：2000 @ 500mA，10V
  • 功率 - 最大值：1.3W
  • 频率 - 跃迁：200MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-243AA
  • 供应商器件封装：SOT-89-3
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