BSH207,135 - NXP
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图片信息
BSH207,135
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单端场效应管,6-TSOP
技术参数:
MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP
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BSH207,135 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:BSH207,135
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.52A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):120 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):500pF @ 9.6V
功率 - 最大值:417mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:6-TSOP
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BSH207,135
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