BSH111,235 - NXP
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图片信息
BSH111,235
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单端场效应管,SOT-23
技术参数:
MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23
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BSH111,235 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:BSH111,235
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23
系列:TrenchMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):335mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4 欧姆 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):40pF @ 10V
功率 - 最大值:830mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23 (TO-236AB)
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BSH111,235
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