MDS1100 - Microsemi
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图片信息
MDS1100
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
晶体管 - 双极(BJT)- 射频,封装:55TU-1
技术参数:
RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1
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MDS1100 技术参数详情:
制造商产品型号:MDS1100
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1
系列:晶体管 - 双极(BJT)- 射频
零件状态:停产
晶体管类型:NPN
电压-集射极击穿(最大值):65V
频率-跃迁:1.03GHz
噪声系数(dB,不同f时的典型值):-
增益:8.9dB
功率-最大值:8750W
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):20 @ 5A,5V
电流-集电极(Ic)(最大值):100A
工作温度:200°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:55TU-1
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