射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
JAN2N6849U - Microsemi
Microsemi代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
JAN2N6849U 图片
JAN2N6849U
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：18-ULCC（9.14x7.49）
  • 技术参数：MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC
  • 需要JAN2N6849U的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
JAN2N6849U 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：JAN2N6849U
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Military, MIL-PRF-19500/564
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：320 毫欧 @ 6.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：34.8nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：800mW（Ta），25W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：18-ULCC（9.14x7.49）
  • 快速提供JAN2N6849U专业且全面的报价，Microsemi代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Microsemi品牌LOGO
更多Microsemi产品：
Microsemi公司授权代理商
ZF
Soberton
Celduc
Agilink
RAFI
JAN2N6849U（制造商：Microsemi） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台