JAN2N5013S - Microsemi
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图片信息
JAN2N5013S
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个,封装:TO-205AD,TO-39-3 金属罐
技术参数:
NPN TRANSISTOR
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JAN2N5013S 技术参数详情:
制造商产品型号:JAN2N5013S
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:NPN TRANSISTOR
系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
产品系列:Military, MIL-PRF-19500/727
零件状态:停产
晶体管类型:NPN
电流-集电极(Ic)(最大值):200mA
电压-集射极击穿(最大值):800V
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):-
电流-集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):30 @ 20mA,10V
功率-最大值:1W
频率-跃迁:-
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-205AD,TO-39-3 金属罐
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