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APT6017LLLG - Microsemi
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Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
APT6017LLLG 图片
APT6017LLLG
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：单端场效应管，TO-264
  • 技术参数：MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
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APT6017LLLG 技术参数详情：
  • Microsemi美高森美完整型号：APT6017LLLG
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
  • 系列：POWER MOS 7
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：35A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 17.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：100nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4500pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：500W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA
  • 供应商器件封装：TO-264 [L]
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