APT45GR65B2DU30 - Microsemi
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图片信息
APT45GR65B2DU30
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
技术参数:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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APT45GR65B2DU30 技术参数详情:
制造商产品型号:APT45GR65B2DU30
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:有源
IGBT类型:NPT
电压-集射极击穿(最大值):650V
电流-集电极(Ic)(最大值):118A
电流-集电极脉冲(Icm):224A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,45A
功率-最大值:543W
开关能量:-
输入类型:标准
栅极电荷:203nC
25°C时Td(开/关)值:15ns/100ns
测试条件:433V,45A,4.3 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):80ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-247-3
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APT45GR65B2DU30
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